[elektronica] spanningsval bij pn-junctie
 

Ik weet niet of de mensen op die forum mij gaan kunnen helpen, maar bij hoogdringendheid ga ik toch maar een pogingetje wagen:

'k Ben een cursus basis-elektronica aan het doorworstelen, en ik zit bij de halfgeleiderdiode:

PN-overgang gepolariseerd in doorlaatzin: Wanneer een uitwendige spanning wordt aangelegd over de diode => Vermits de metaal-halfgeleiderovergangen zich gedragen als ohmse contacten, zal de spanning Vf (= spanning over de diode ) de potentiaalberg bij de pn-junctie verminderen.


Is er iemand die weet wat ze hiermee bedoelen? Ik dacht namelijk dat een ohms contact een contact was waarbij de spanningsval bij dit contact te verwaarlozen was tov de spanningsval in de component. En hier zeggen ze dan dat die contacten de oorzaak zijn van een verminderde spanning. Dit lijkt me nogal tegenstrijdig.

(misschien nog even ter verduidelijking: P - materiaal is halfgeleidermateriaal met acceptor verontreinigingen (dus driewaardige atomen), n-materiaal is halfgeleidermateriaal met donorverontreinigingen (dus vijfwaardige atomen)



It's worth a try....

dit vind ik zelf een van de minder interessante onderwerpen uit de elektronica, dus ik zal kijken wat ik er nog van weet/kan vinden :o
(wees trouwens blij dat het niet over transistoren gaat :o)

diode:
http://www.scintilla.utwente.nl/~florisb/pn-junctie.JPG

Wanneer er een uitwendige spanning wordt aangelegd verander je daarmee de grootte van het potentiaalverschil over het ruimteladingsgebied en dus de veldsterkte in de ruimteladingslagen.
Wanneer je de pn-overgang in de sperrichting zet, wordt de depletielaag dikker, het veld sterker en dus de potentiaal hoger. want de diffusie van meerderheden (diffusiestroom) wordt afgeremd en je krijgt dus bijna alleen een stroom van minderheidsladingdragers (de driftstroom)

bij een pn-junctie in voorwaarts wordt de depletielaag kleiner, het veld zwakker en de potentiaalval wordt kleiner.
De diffusie van meerderheden gaat zijn gang en heb je dus vrijwel alleen de grote diffusiestroom.

In jouw geval ging het dus gewoon over een pn-junctie in voorwaarts. Die ohmse contacten maken verder weinig uit, het is interessant wat er met die ruimteladingslaag gebeurd :)
veel succes verder en als je vragen hebt stel je ze maar