dit vind ik zelf een van de minder interessante onderwerpen uit de elektronica, dus ik zal kijken wat ik er nog van weet/kan vinden

(wees trouwens blij dat het niet over transistoren gaat

)
diode:
Wanneer er een uitwendige spanning wordt aangelegd verander je daarmee de grootte van het potentiaalverschil over het ruimteladingsgebied en dus de veldsterkte in de ruimteladingslagen.
Wanneer je de pn-overgang in de sperrichting zet, wordt de depletielaag dikker, het veld sterker en dus de potentiaal hoger. want de diffusie van meerderheden (diffusiestroom) wordt afgeremd en je krijgt dus bijna alleen een stroom van minderheidsladingdragers (de driftstroom)
bij een pn-junctie in voorwaarts wordt de depletielaag kleiner, het veld zwakker en de potentiaalval wordt kleiner.
De diffusie van meerderheden gaat zijn gang en heb je dus vrijwel alleen de grote diffusiestroom.
In jouw geval ging het dus gewoon over een pn-junctie in voorwaarts. Die ohmse contacten maken verder weinig uit, het is interessant wat er met die ruimteladingslaag gebeurd

veel succes verder en als je vragen hebt stel je ze maar